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HELIOS II 8倍淨膚雷射

HELIOS II 8倍淨膚雷射通過美國FDA認證，屬於溫和、非侵入式的治療技術，能量與穿透深度相較傳統淨膚雷射提升約8至10倍。其搭載全球首創的「分段光熱療法（Fractional Photothermolysis）」技術，結合1064nm與532nm雙波長Q開關釹雅鉻雷射系統，能夠輸出分段光束，使雷射能量分布更均勻，大幅縮短治療時間，提升療程效果與舒適度。

特色

• 8倍能量均勻聚焦技術（Fractional Mode）
  利用微點能量平均分配，降低肌膚熱傷害，同時達到深層破壞黑色素的效果。
• 雙波長治療系統（1064nm / 532nm）

• 多模式掃描切換
  包括PTP、Single pulse、Soft peel與Genesis模式，針對不同膚質與需求量身打造治療計畫。
• Q-switch技術瞬間高能量釋放
  於奈秒間擊碎色素顆粒，有效治療色素性病灶，同時刺激膠原蛋白增生。

淨膚雷射適應症

• 淡化曬斑、老人斑、雀斑、肝斑

• 改善痘疤、毛孔粗大

• 淡化刺青（黑、藍、紅色等）

• 太田母斑、顴骨母斑、胎記

• 美白膚色、提升膚質、緊緻毛孔

淨膚雷射注意事項

1. 曾有局部麻醉藥劑或外用藥膏過敏的患者請於術前告知醫師。
2. 治療前兩週停止使用A酸、去角質或果酸換膚等臉部保養，並避免過度日曬。
3. 治療後，皮膚會出現輕微泛紅及灼熱感，加強治療部位會有局部皮下出血斑或結痂的情形產生，出血斑約5~10天褪去。結痂的痂皮，約1週左右會掉落，不可將它摳落，應讓其自然掉落，避免留下疤痕或色素沈澱。
4. 治療後偶而會有水疱或輕度皮膚破皮現象，請依醫師指示照顧傷口。如有需要須回診作進一步處理。
5. 術後加強防曬，以防反黑（即雷射後色素沈澱）。
6. 避免可能造成感染或刺激皮膚之行為，例如：做臉、敷臉、去角質、塗抹刺激性保養品、泡溫泉等。

副作用及相對不適應症

1. 孕婦、光敏感皮膚及感染性傷口，治瘴前應由醫師評估。
2. 若有皮膚乾癢不適、唱、濕疹、毛囊炎或色素沉澱等的部位，不適做雷射治擦。
3. 不當治療後可能有色素不均現象或敏感肌膚產生需特別注意，應停止治療。
4. 若有傷口感染或化膿，需接受抗生素治瘵。